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三星宣布已开发首款10纳米级第三代超高性能和高功效DRAM

2019-03-21 15:45:32 来源: 凤凰

【三星宣布已开发首款10纳米级第三代超高性能和高功效DRAM】三星电子今日宣布,该公司在业界首次开发了第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器) ​

北京时间3月21日消息,全球领先的高级存储技术公司三星电子有限公司(Samsung Electronics)今日宣布,该公司在业界首次开发了第三代10纳米级(1z-nm)8GB超高性能和高功效的DRAM(Dynamic Random Access Memory,动态随机存取存储器)。

自开始大规模生产第二代10纳米级8GB DDR4以来,短短16个月内,三星电子在不使用Extreme Ultra-Violet(极紫外线光刻技术工艺,一种更复杂的芯片制造技术)处理的情况下开发10纳米级(1z-nm)8GB第三代DDR4,意味着三星进一步提高了DRAM的扩展极限,在这一领域取得了领先地位。

随着10纳米级成为业界最小的内存处理节点,三星现在已经准备好用其新的10纳米级(1z-nm)DDR4-DRAM来满足日益增长的市场需求,其生产效率比以前的1Y纳米级版本高20%以上。

据悉,10纳米级(1z-nm)8GB第三代DDR4的批量生产将于今年下半年开始,以适应下一代企业服务器和有望在2020年推出的高端PC。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁李荣培(Jung Bae Lee)表示:“我们致力于突破技术领域的最大挑战,推动实现更大的创新。很高兴能再次为下一代DRAM的稳定生产奠定基础,确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出10纳米级(1z-nm)的DRAM系列产品,三星将继续致力于支持其全球客户部署尖端系统,并推动高端内存市场的增长。”

三星开发的10纳米级(1z-nm)DRAM为全球IT加快朝着下一代DRAM接口(如DDR5、LPDDR5和GDDR6)过渡铺平了道路,这些接口将推动未来的数字创新。接下来那些具有更高容量和性能的10纳米级(1z-nm)产品将增强三星在市场的业务竞争力,巩固其在高端DRAM市场应用的领导地位,包括服务器、图形和移动设备等领域。

据报道,在与一家CPU制造商就8GB DDR4模块进行全面验证后,三星将积极与全球客户合作,向其提供一系列即将面世的内存解决方案。为了满足目前的行业需求,三星计划在其Pyeongtaek网站增加主要内存生产的比重,同时与全球IT客户合作,以满足市场对最先进DRAM产品日益增长的需求。

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